onsemi NDP7050
$ 2.261
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsSPP80N06S209
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP150NF04
N-channel 40 V, 0.005 Ohm, 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NDP7050, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,75A I(D),TO-220AB RoHS Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 50V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 115nC@ 10 V 1individualNChannel 50V 13mΩ@ 40A,10V 75A 3.6nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time128 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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