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onsemi NDB6030PL

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -30A, 42mΩ
$ 1.074
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
NDB6030PL
7.615
USD
1,150
0,955
0,851
15h
Verical
2
NDB6030PL
575
261
USD
1,193
1,064
Worldway Electronics
NDB6030PL
27.672
7
Bulk
USD
0,329
0,322
0,310
0,304
16h
UnikeyIC
NDB6030PL
7.116
312
Tape & Reel
USD
0,945
0,851
17h
Anlinkda
NDB6030PL
20.299
USD
0,488
0,437
0,398
0,383
0,377
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NDB6030PL herunter.

IHS

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet4 SeitenVor 0 Jahren

Newark

onsemi

Fairchild Semiconductor

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-24.72%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Verwandte Teile

InfineonIRL3303SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.026Ohm;ID 38A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-16V;-55d
Details
InfineonIRL3103STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Details
InfineonIRL3103SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Details
VishayIRF540STRLPBF
Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Details
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Details
STMicroelectronicsSTB55NF03LT4
N-Channel 30V - 0.01 Ohm - 55A - D2PAK STripFET(TM) II POWER MOSFET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDB6030PL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -30A, 42mΩ
onsemi
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Transistor Polarity:p Channel; Continuous Drain Current Id:-30A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(On):0.037Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V; Power Dissipation Pd:75W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes
Newark
These P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters and high efficiency switching circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDB6030PL.