onsemi MUN5216T1
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Obsolete
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Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.04
Stock
370,756
1,485,323
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
SC
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
250 mV
hFE Min
160
160
Power Dissipation
202 mW
202 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-09-30
LTD Date2008-03-31
Verwandte Teile
onsemiDTC144TT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC123JKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MUN5216T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN - Pre-Biased Single Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 160 @ 5mA 10V 100mA 202mW 50V
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5216T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min160
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation202 mW
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen