onsemi MUN5214T1G

Name: onsemi MUN5214T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5214T1G

50 V, 100 mA, NPN Bipolar Digital Transistor (BRT), R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ

$ 0.039

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MUN5214T1G	42.000	3K						0,016	23h
Newark	2	MUN5214T1G	9.075	5	Cut Tape		0,102	0,064	0,043	0,043
Verical	2	MUN5214T1G	45.000	3K						0,050
Arrow Electronics		MUN5214T1G	2.690	1		0,025	0,015	0,014	0,014	0,014
Master Electronics		MUN5214T1G	45.000	3K						0,033

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IHS

Datasheet14 SeitenVor 9 Jahren

Master Electronics

onsemi

Newark

iiiC

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onsemiMUN5214T1G

onsemiMUN5213T1G

Price @ 1000

$ 0.039

$ 0.019

Stock

5,740,885

8,212,825

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

hFE Min

Power Dissipation

202 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5214T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

50 V, 100 mA, NPN Bipolar Digital Transistor (BRT), R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ

onsemi

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

MUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-323

Future Electronics

80@5mA,10V 1 NPN - Pre Biased 202mW 100mA 50V 500nA SC-70-3 Digital Transistors ROHS

Dasenic

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R

Verical

BRT TRANSISTOR, AEC-Q101, 50V, 10K/47K; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 0.21(Ratio); RF Transistor Case: SC-70; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5214T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

hFE Min80

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation310 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage50 V

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation202 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

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