onsemi MUN5114T1G

Name: onsemi MUN5114T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5114T1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

$ 0.04

Production

Herstellerseite Datenblatt

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MUN5114T1G	330.000	3K						0,016	10h
Newark	3	MUN5114T1G	9.609	5	Cut Tape		0,102	0,064	0,043	0,043
Verical	2	MUN5114T1G	195.000	20135
Arrow Electronics	2	MUN5114T1G	194	1		0,064	0,035	0,023	0,023	0,023
Rochester Electronics		MUN5114T1G	238.161					0,020	0,017	0,015	8h

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Master Electronics

Datasheet12 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Newark

_legacy Avnet

DigiKey

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onsemiMUN5114T1G

onsemiMUN5113T1G

Price @ 1000

$ 0.04

$ 0.018

Stock

2,104,528

1,610,581

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-323-3

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

202 mW

310 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5114T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

IHS

MUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-323

Future Electronics

PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

250mV@ 300¦ÌA,10mA PNP - Pre-Biased 310mW 500nA 50V 100mA SOT-323 2.1mm*1.24mm*850¦Ìm

UnikeyIC

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R

Verical

Transistor Polarity:Single PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:50V; Continuous Collector Current:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base Emitter Resistor R2:47kohm; No. of Pins:3 Pin RoHS Compliant: Yes

Newark

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5114T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating-100 mA

Element ConfigurationSingle

hFE Min80

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage50 V

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation202 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)-50 V