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onsemi MUN2212T1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.042
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Newark

Datasheet12 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Future Electronics

Arrow Electronics

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
NXP SemiconductorsPDTC143XE,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN2212T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 230mW; SC59; R1: 22kO
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN2212T1G NPN DIGITAL TRANSISTOR, 100 MA 50 V 22 KOHMS, RATIO OF 1, 3-PIN SC-59
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
onsemi NPNdigital transistor, SOT-346 (SC-59)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage50 V
Brt Transistor, 50V, 22K/22Kohm, Sc-59-3; Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:22Kohm; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN2212T1G.
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-59 package which is designed for low power surface mount applications.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MUN2212T1G.