onsemi MUN2133T1
Obsolete
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CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.033
Stock
370,311
743,623
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
80
80
Power Dissipation
230 mW
230 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
NXP Semiconductors2PD601AR,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
NXP SemiconductorsPDTC123JK,115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR / Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Toshiba2SC2712-Y,LF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MUN2133T1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
100 mA 50 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP - Pre-Biased Single Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 80 @ 5mA 10V 100mA 230mW 50V
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min80
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation230 mW
Voltage Rating (DC)-50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen