onsemi MPSW06RLRAG
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Stock
1,863,798
555,825
Authorized Distributors
2
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
60
60
Power Dissipation
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPSW06RLRAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tape & Reel (TR) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 250mA 1V 500nA 1W 50MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
NPN 1W 4V 500nA 80V 80V 500mA TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.21mm*4.19mm*7.87mm
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
RF TRANSISTOR, NPN, 80V 50MHZ TO-92; Tra; RF TRANSISTOR, NPN, 80V 50MHZ TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width25.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen