onsemi MPSA29-D26Z
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MPSA29-D26Z | 4.000 | 2K | 15h | ||||||||
| Newark | MPSA29-D26Z | 1.829 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | MPSA29-D26Z | 10.750 | 2K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MPSA29-D26Z | 10.750 | 2K | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | MPSA29-D26Z | 974 | 13h |
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$ 0.124
Stock
277,760
1,179,256
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
800 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
Power Dissipation
625 mW
1.5 W
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC63916-D27Z
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPSA29-D26Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 800mA 125MHz 625mW Through Hole T
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Bipolar Junction Darlington Transistor
1.5V@ 100¦ÌA,100mA NPN - Darlington 625W 12V 500nA 100V 100V 800mA TO-92-3 5.33mm
Trans Darlington NPN 100V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 100V, 0.5A/TO92;
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. See MPSA28 for characteristics.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current800 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz