onsemi MPSA06RA
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Stock
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295,355
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Axial
Case/Package
TO-92-3
TO-92
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
100
100
Power Dissipation
625 mW
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPSA06RA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
500 mA, 80 V NPN Small Signal Bipolar Junction Transistor
80V 625mW 100@100mA,1V 500mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MPSAXX Series NPN 625 mW 80 V 0.5 A Through Hole General Purpose Transistor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
onsemi NPN Transistor TO-92 TH 500mA 80V
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current500 mA, maximum collector-emission voltage80 V
NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen