onsemi MPS650G
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1
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Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
75 MHz
75 MHz
75 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPS650G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 75 @ 1A 2V 100nA ICBO 625mW 75MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 40V 2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
NPN 625mW 5V 100nA 60V 40V 2A TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
2000 mA 40 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92
TRANS NPN SS GP 40V TO92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:75MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:75; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bandwidth ft Typ:75MHz; Hfe Min:40; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:625mW
Bipolar Transistor, Npn, 40V, To-92; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:40V; Frecuencia De Transición Ft:75Mhz; Disipación De Potencia Pd:625Mw; Corriente De Colector Dc:2A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:75 |Onsemi MPS650G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency75 MHz
Gain Bandwidth Product75 MHz
hFE Min40
Max Collector Current2 A
Max Frequency75 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen