onsemi MPS2222G
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Stock
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725,141
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Authorized Distributors
2
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
1.6 V
1.6 V
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-12-31
LTD Date2015-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPS2222G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 30VDC, IC 600MA, PD 1.5W, TO-92
NPN Bipolar Small Signal Transistor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
NPN 625mW 5V 10nA 60V 30V 600mA TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
Bulk Through Hole General Purpose Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 10V 10nA ICBO 625mW 250MHz
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Collector Current600 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height5.334 mm
Length5.1816 mm
Width4.191 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen