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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-04-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBTA06WT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Abacus Technologies

80V 150mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

MMBT Series 80 V 500 mA Surface Mount NPN Silicon Driver Transistor - SOT-323

Future Electronics

onsemi NPN Digital Transistor, SOT-323 (SC-70), SMD, 500mA, 80V DC

UnikeyIC

Bipolar (BJT) Single Transistor, GENERAL;

Newark

TRANS, BIPOL, NPN, 80V, SC-70; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transist

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

LCSC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +24.51%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating500 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)4 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min100

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current500 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height6.35 mm

Length6.35 mm

Width6.35 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MMBTA06WT1G herunter.