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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiMMBT3904WT1G

NexperiaPMST3904,115

Price @ 1000

$ 0.034

$ 0.031

Stock

23,914,934

4,945,738

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-323

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

200 mA

Transition Frequency

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFE Min

Power Dissipation

150 mW

200 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT3904WT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 40VDC, IC 200MA, PD 150MW, HFE 30

RS (Formerly Allied Electronics)

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount

Avnet

40V 150mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

MMBT Series 40 V 200 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323

Future Electronics

Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R

Avnet Japan

onsemi NPNTransistor, SOT-323 (SC-70)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current200 mA, maximum collector-emission voltage40 V

UnikeyIC

NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, NPN, SOT-323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transistor Ca

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBT3904WT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -10.82%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage40 V

Collector Emitter Saturation Voltage300 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V

Current Rating8.6 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency300 MHz

Gain Bandwidth Product300 MHz

hFE Min30

Max Breakdown Voltage40 V

Max Collector Current200 mA

Max Frequency300 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency300 MHz

TypeGeneral Purpose

Voltage Rating (DC)40 V

Dimensions

Height889 µm

Length2.1844 mm

Width1.3462 mm