onsemi MMBT2907A

Name: onsemi MMBT2907A
Brand: onsemi
SKU: MMBT2907A

Transistor General Purpose BJT PNP 60 Volt 0.8A 3-Pin SOT-23

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
element14 APAC	2	MMBT2907A	0	5	Cut Tape		0,094*	0,088*	0,056*	0,046*	3h
Farnell	3	MMBT2907A	0	5	Cut Tape		0,157*	0,073*	0,042*	0,036*	15h
Sensible Micro		MMBT2907A	11.440					0,014	0,013	0,013	5d
Component Stockers USA		MMBT2907A	59.848			0,100	0,070	0,010	0,010	0,010	>1wk
Win Source		WS-MMBT2907A	55.000	2035						0,020	16h

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 4 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Datasheet2 SeitenVor 25 Jahren

Fairchild Semiconductor

Farnell

Upverter

onsemi

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onsemiMMBT2907A

onsemiMMBT2907ALT1G

Price @ 1000

$ 0.037

Stock

386,911

114,741,953

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

-60 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

-400 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

350 mW

225 mW

Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)

LTB Date2019-07-12

LTD Date2020-07-12

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT2907A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor General Purpose BJT PNP 60 Volt 0.8A 3-Pin SOT-23

Jameco

60V 250mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

IHS

MMBT Series PNP 1000 mW 60 V 800 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-23

Future Electronics

This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63.

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-400mV; Continuous Collector Current Ic Max:800mA; Current Ic Continuous a Max:800mA; Current Ic hFE:150mA; Device Marking:BT2907A; Gain Bandwidth ft Min:200MHz; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:2F; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:60V

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MMBT2907-A
MMBT2907A#
MMBT2907A$
MMBT2907A.

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1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight59.987591 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)-60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V

Current6 A

Current Rating-800 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V

Frequency200 MHz

Gain Bandwidth Product200 MHz

hFE Min50

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current600 mA

Max Frequency200 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingCut Tape

PolarityPNP

Power Dissipation350 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency200 MHz

Voltage60 V

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height1.2 mm

Length6.35 mm

Width6.35 mm

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