onsemi MMBT2369A
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MMBT2369A | 111.208 | 12097 | |||||||||
| Rochester Electronics | MMBT2369A | 114.208 | 1h | |||||||||
| element14 APAC | MMBT2369A.. | 0 | 5 | Cut Tape | 15h | |||||||
| Farnell | MMBT2369A.. | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| GreenChips | MMBT2369A | 1.962 | 22h |
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Stock
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3,859,576
3,859,576
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
15 V
15 V
15 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
500 MHz
500 MHz
500 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
20
20
20
Power Dissipation
225 mW
-
-
Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMBTA42-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBTH24-7-F
Rf Transistor, Npn, 40V, 0.05A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. MMBTH24-7-F
Diodes Inc.MMBT3904-7-F
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMBT2369A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MMBT2369A Series 15 V 200 mA NPN Surface Mount Switching Transistor - SOT-23-3
NPN SWITCHING TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT2369A,@ TRANSISTOR, MMBT23 69A, 1JA, SOT-23 NPN SILICON
NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Styl
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):200mV; Continuous Collector Current Ic Max:200mA; Current Ic Continuous a Max:200mA; Current Ic hFE:10mA; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:225mW; SMD Marking:1S; Tape Width:8mm; Turn Off Time:18ns; Turn On Time:12ns; Voltage Vcbo:40V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
hFE Min20
Max Breakdown Voltage15 V
Max Collector Current200 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency500 MHz
Voltage Rating (DC)15 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen