onsemi MMBT2222LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
$ 0.035
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
3
MMBT2222LT1G186.0003K
18h
Newark
3
MMBT2222LT1G3.7511Cut Tape
VericalMMBT2222LT1G42.0006K
Arrow ElectronicsMMBT2222LT1G21
Master ElectronicsMMBT2222LT1G42.0003K

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet7 SeitenVor 18 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 16 Jahren

IHS

Newark

Upverter

TME

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMMBT2222LT1G
onsemiMMBT2222ALT1G
onsemiMMBT2222ALT1G
Price @ 1000
$ 0.035
$ 0.036
$ 0.036
Stock
2,417,224
120,348,103
120,348,103
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
300 mV
300 mV
hFE Min
75
75
75
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBT2222LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Avnet Silica
ON SEMI MMBT2222LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
RS (Formerly Allied Electronics)
30V 300mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
IHS
MMBT Series 30 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
TRANSISTOR, BJT, NPN, 30V, 0.6A, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 250hFE
Farnell
Bipolar Transistor, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:250Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2222LT1G.
Newark

Bilder

RS
element14
Augswan
Newark
element14 APAC
Farnell
Farnell
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
TME
Micros
Rochester Electronics
iiiC
Smith & Associates

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MMBT2222LT1G.