onsemi MMBFJ175LT3G
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2,598,014
2,598,014
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-236-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
-
60 mA
60 mA
Drain to Source Resistance
125 Ω
125 Ω
125 Ω
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
25 V
Input Capacitance
11 pF
11 pF
11 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
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JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3 / JFET N-Channel 15 V 50 mA 200 mW Surface Mount SC-59-3/CP3
NXP SemiconductorsPMBFJ308,215
N-channel Silicon Fet, Reel 7" Q3 Ndp Low Profile, Tape + Reel Rohs Compliant: Yes
NXP SemiconductorsBF556A,215
Trans Jfet N-Ch 30V 7Ma Si 3-Pin To-236Ab T/R Rohs Compliant: Yes |Nxp BF556A,215
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMBFJ175LT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
225mW 3V@ 10 nA 1individualPChannel 30V 125Ω 7mA 11pF @ 10V (VGS) 30V SOT-23-3，TO-236 SMD mount
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
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P-Channel 225mW 7mA@15V 125Ω 30V SOT-23(TO-236) JFETs ROHS
P-Channel JFET Transistor, 30 V
Ss Sot23 Jfet Pch 30V Tr |Onsemi MMBFJ175LT3G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Drain to Source Resistance125 Ω
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance11 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation225 mW
Dimensions
Height1.11 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen