onsemi MMBF170

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 0.082
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
MMBF170156.0003K
2d
Future Electronics
2
MMBF17048.0003KTape & Reel
Newark
3
MMBF1707.0521Cut Tape
Verical
5
MMBF17051.0003K
Arrow Electronics
4
MMBF1706.3691

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet2 SeitenVor 0 Jahren

JRH Electronics

Farnell

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TME

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMMBF170
onsemiMMBF170
onsemiMMBF170
Price @ 1000
$ 0.082
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Stock
3,346,516
3,346,516
3,346,516
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
500 mA
500 mA
500 mA
Threshold Voltage
2.1 V
2.1 V
2.1 V
Rds On Max
5 Ω
5 Ω
5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
550 mW
550 mW
550 mW
Input Capacitance
40 pF
40 pF
40 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.MMBF170-7-F
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MMBF170, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 500 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 300
Distrelec
This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. This product is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC
Farnell
TME
element14 APAC
element14 APAC
Future Electronics
Distrelec
element14
TME
iiiC
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MMBF-170
  • MMBF170.
  • MMBF170..