onsemi MJE3055T
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJE3055T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 20 @ 4A 4V 10A 75W 2MHz
Bipolar Power Transistor, NPN, 10 A, 60 V, 75 Watt
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Power Dissipation:75W; C-E Breakdown Voltage:60V; DC Current Gain Min (hfe):5; Collector Current:10A; Package/Case:TO-220AB; DC Current Gain Max (hfe):100 RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current10 A
Max Frequency2 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation600 mW
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.28 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen