onsemi MJD45H11T4G

Name: onsemi MJD45H11T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD45H11T4G

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.367

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MJD45H11T4G	540.000	2500	Tape & Reel					0,300
Avnet	2	MJD45H11T4G	182.500	2500						0,267	5h
Newark	4	MJD45H11T4G	1.629	1	Cut Tape	1,240	0,814	0,567	0,514	0,514
Verical	2	MJD45H11T4G	5.000	2500						0,272
Arrow Electronics		MJD45H11T4G	5.000	2500						0,272

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Master Electronics

Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren

Upverter

Newark

IHS

Farnell

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onsemiMJD45H11T4G

onsemiMJD45H11G

Price @ 1000

$ 0.367

$ 0.449

Stock

6,238,582

939,801

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

TO-252-3

DPAK

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

Max Collector Current

8 A

Transition Frequency

90 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

hFE Min

Power Dissipation

1.75 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-08-31

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD45H11T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet Silica

COMPLEMENTARY POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

ComSIT Distribution GmbH

Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11T4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 80 V; 8 A

Maritex

Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt

MJD45H11 Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - DPAK-3

Future Electronics

80V 1.75W 40@4A,1V 8A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor

onsemi

Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:90Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:40Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD45H11T4G.

Newark

Bilder

South Microelectronics

element14

Rochester Electronics

LCSC

DKO Electronshik

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MJD45H11-T4G
MJD45H11T4G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-252-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)5 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating-8 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency90 MHz

Gain Bandwidth Product90 MHz

hFE Min40

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current8 A

Max Frequency90 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation20 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation1.75 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency90 MHz

Voltage Rating (DC)-80 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm