onsemi MJD340G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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$ 0.273
$ 0.286
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Stock
340,863
2,768,487
2,768,487
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252
TO-252
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
300 V
300 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
10 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
-
-
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
1.56 W
15 W
15 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD340G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
0.5 A, 300 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH VOLTAGE, POWER, VCEO 300VDC, IC 0.5A, PD 15W, DPAK
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
onsemi NPNTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current500 mA, maximum collector-emission voltage300 V
TRANSISTOR, RF; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 240hFE; Transistor Case Style: TO-252;
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:300V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:15W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-; Dc Current Gain Hfe Min:240Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD340G.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
hFE Min30
Max Collector Current500 mA
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.223 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen