onsemi MJD31CT4
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.256
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Stock
32,738
3,745,175
3,745,175
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
15 W
1.56 W
1.56 W
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Verwandte Teile
onsemi2SD1815S-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 3.9W 14V 100nA 140V 120V 1.5A TO-252-3 SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD31CT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Cut Tape (CT) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 3A 4V 3A 1.56W 3MHz
LOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NPN Transistor 1.2V@3A 375mA 1.56W 5V 50μA 100V 100V 3A DPAK SMD 2.51mm H
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen