onsemi MJD31CT4
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.261
$ 0.261
Stock
51,701
4,866,728
4,866,728
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
15 W
1.56 W
1.56 W
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Verwandte Teile
onsemi2SD1815S-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
Bipolar Array, Npn, 120V, 1.5A, To252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN04120HKTC
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD31CT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Cut Tape (CT) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 3A 4V 3A 1.56W 3MHz
LOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANS GP BJT NPN 100V 3A 3PIN DPAK
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen