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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiMJD31CG

onsemiMJD31CT4G

Price @ 1000

$ 0.442

$ 0.256

Stock

417,554

2,456,778

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

3 A

Transition Frequency

3 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

hFE Min

Power Dissipation

1.56 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-09-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD31CG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)

Avnet Silica

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

ComSIT Distribution GmbH

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 100VDC, IC 3A, PD 15W, DPAK, VCBO 100VDC

RS (Formerly Allied Electronics)

3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

MJD Series 100 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3

Future Electronics

100V 15W 25@1A,4V 3A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar (BJT) ROHS

EBEE

Bipolar (Bjt) Single Transistor; |Onsemi MJD31CG.

Newark

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Verical

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

Digi-ic_SMART PIONEER

onsemi Transistor, NPNTriode, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin

UnikeyIC

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case Style:

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MJD31CG.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +82.09%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Current Rating3 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency3 MHz

Gain Bandwidth Product3 MHz

hFE Min10

Max Collector Current3 A

Max Frequency3 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation15 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation1.56 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency3 MHz

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height2.3876 mm

Length6.7056 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MJD31CG herunter.