onsemi MJD2955TF
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Obsolete
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Stock
1,203,688
601,655
601,655
Authorized Distributors
2
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
TO-252-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.1 V
-1.1 V
-1.1 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-07-31
LTD Date2020-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD2955TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
60V 1.75W 10A PNP TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen