onsemi MJD200T4G

Name: onsemi MJD200T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD200T4G

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

$ 0.195

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	MJD200T4G	7.500	2500						0,190	10h
Future Electronics		MJD200T4G	2.500	2500	Tape & Reel					0,235
Newark	3	MJD200T4G	1.501	5	Cut Tape		0,559	0,403	0,403	0,403
Verical	3	MJD200T4G	4.299	31				0,203	0,194	0,191
Arrow Electronics		MJD200T4G	4.299	1		0,213	0,210	0,203	0,194	0,191

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 6 Jahren

Electro Sonic

onsemi

Farnell

Newark

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onsemiMJD200T4G

onsemiMJD200G

Price @ 1000

$ 0.195

$ 0.47

Stock

969,640

129,946

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

25 V

Max Collector Current

5 A

Transition Frequency

65 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.8 V

hFE Min

Power Dissipation

1.4 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-08-31

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD200T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

IHS

5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

MJD Series 25 V Tab Mount NPN Complementary Plastic Power Transistor TO-252-3

Future Electronics

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

Digi-ic_SMART PIONEER

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

TRANS, BIPOL, NPN, 25V, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:65MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:70hFE; Transistor C

element14 APAC

Bipolar Transistor, Npn, 25V, D-Pak, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:25V; Continuous Collector Current:5A; Power Dissipation:12.5W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD200T4G.

Newark

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MJD200T4G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)40 V

Collector Emitter Breakdown Voltage25 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V

Current Rating5 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)8 V

Frequency65 MHz

Gain Bandwidth Product65 MHz

hFE Min10

Max Breakdown Voltage25 V

Max Collector Current5 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation13 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation1.4 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency65 MHz

Voltage Rating (DC)25 V

Datenblätter und Dokumente

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