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onsemi MJD112-1G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.529
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
MJD112-1G
73
40
Tube
USD
0,570
0,535
0,515
Master Electronics
MJD112-1G
42.150
75
USD
0,631
0,548
0,399
Onlinecomponents.com
MJD112-1G
42.150
75
Bulk
USD
0,631
0,548
0,399
Rochester Electronics
MJD112-1G
230.428
USD
0,525
0,436
0,388
12h
Verical
7
MJD112-1G
345
7
USD
0,381
0,381
0,381
0,381

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 20 Jahren

Master Electronics

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMJD112-1G
onsemiMJD112-001
Price @ 1000
$ 0.529
$ 0.175
Stock
1,533,197
31,367
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
200
200
Power Dissipation
1.75 W
20 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiMJD112-001
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 2A 3V 2A 1.75W 25MHz
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onsemiKSH122ITU
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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onsemi2SC4135T-E
Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD112-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
Future Electronics
ON SEMI MJD112-1G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:1000, 3-PIN IPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor, Npn, 100V, 2A, To-251; |Onsemi MJD112-1G
Newark
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
North Star Micro
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-251; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transisto
Farnell

Bilder

Farnell
Augswan
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics
JRH Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD112-1G.