onsemi MJD112-1G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.469
Production
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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsMJD112-1G7350Tube
Verical
8
MJD112-1G52575
Arrow Electronics
2
MJD112-1G1.2901
Master ElectronicsMJD112-1G43.20075
Onlinecomponents.comMJD112-1G43.20075Bulk

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Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 20 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiMJD112-1G
onsemiMJD112-001
Price @ 1000
$ 0.469
$ 0.175
Stock
1,068,943
50,239
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
200
200
Power Dissipation
1.75 W
20 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD112-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
Future Electronics
ON SEMI MJD112-1G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 2 A 100 V HFE:1000, 3-PIN IPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
North Star Micro
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, TO-251; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transisto
Farnell
Darlington Transistor, Npn, 100V, Dpak-3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Power Dissipation Pd:20W; Dc Collector Current:2A; Rf Transistor Case:To-252 (Dpak); No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD112-1G
Newark

Bilder

Farnell
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Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics
JRH Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD112-1G.