onsemi MCH4017-TL-H
$ 0.152
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MCH4017-TL-H | 102.000 | 2368 | |||||||||
| Rochester Electronics | MCH4017-TL-H | 204.000 | 16h | |||||||||
| Flip Electronics | MCH4017-TL-H | 99.000 | 6d | |||||||||
| Avnet | MCH4017-TL-H | 0 | 7143 | 18h | ||||||||
| Farnell | MCH4017-TL-H. | 0 | 3K | Tape & Reel | 2h |
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
ToshibaMT3S20TU(TE85L)
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MCH4017-TL-H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz
1Ã×A 12V 450mW 100mA 60@50mA5V 10GHz NPN +150¡Í@(Tj) MCPH-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW 4-Pin MCPH T/R
TRANSISTOR, NPN, 12V, 0.1A, SOT-343;
NPN 450mW 2V 1¦ÌA 20V 12V 100mA MCPH-4
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency10 GHz
Gain17 dB
hFE Min60
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation450 mW
Transition Frequency10 GHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen