onsemi MBRD660CTT4G

Name: onsemi MBRD660CTT4G
Brand: onsemi
SKU: MBRD660CTT4G

Rectifier Diode Schottky 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

$ 0.425

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MBRD660CTT4G	30.000	2500	Tape & Reel					0,280
Avnet		MBRD660CTT4G	12.500	2500						0,313	1d
Newark	3	MBRD660CTT4G	6.562	5	Cut Tape		0,669	0,669	0,669	0,669
Arrow Electronics	3	MBRD660CTT4G	5	1		0,314	0,314	0,314	0,314	0,314
Verical	2	MBRD660CTT4G	42.500	2500						0,286

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 5 Jahren

Upverter

Master Electronics

onsemi

element14 APAC

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onsemiMBRD660CTT4G

onsemiMBRD660CTRLG

Price @ 1000

$ 0.425

$ 0.402

Stock

3,025,669

515,046

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Forward Voltage

900 mV

Reverse Voltage (DC)

Forward Current

6 A

Max Reverse Leakage Current

100 µA

Reverse Recovery Time

Capacitance

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MBRD660CTT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Rectifier Diode Schottky 60V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

Win Source

ON Semi MBRD660CTT4G; Dual SMT Schottky Diode; Common Cathode; 60V 6A; 3-Pin D-PAK

Jak Electronics

Schottky Power Rectifier, Switch-mode, 6 A, 60 V

onsemi

MBRD660CT Series 60 V 6 A Surface Mount Schottky Rectifier Diode - TO-252-3

Future Electronics

Schottky Rectifier, Common Cathode, 6A, D-Pack; Repetitive Peak Reverse Voltage:60V; Average Forward Current:6A; Diode Configuration:Dual Common Cathode; Diode Case Style:To-252 (Dpak); No. Of Pins:3Pins; Forward Voltage Max:900Mv Rohs Compliant: Yes |Onsemi MBRD660CTT4G.

Newark

Bilder

Rochester Electronics

LCSC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MBRD660CTT4G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Average Rectified Current3 A

Current Rating6 A

Element ConfigurationCommon Cathode

Forward Current6 A

Forward Voltage900 mV

Max Forward Surge Current (Ifsm)75 A

Max Operating Temperature175 °C

Max Output Current3 A

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)60 V

Max Reverse Leakage Current100 µA

Max Reverse Voltage (DC)60 V

Max Surge Current75 A

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Peak Non-Repetitive Surge Current75 A

Peak Reverse Current100 µA

Reverse Standoff Voltage60 V

Schedule B8541100080

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

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