onsemi MBR120ESFT1G

Name: onsemi MBR120ESFT1G
Brand: onsemi
SKU: MBR120ESFT1G

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon

$ 0.128

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	58M8776	1.591	1		0,237	0,237	0,139	0,124	0,124	3d
Newark	4	MBR120ESFT1G	1.591	1	Cut Tape	0,237	0,237	0,140	0,125	0,125
Verical		MBR120ESFT1G	63.000	3K						0,066
Arrow Electronics	2	MBR120ESFT1G	1	1		0,499	0,499	0,499	0,499	0,499
DigiKey	2	MBR120ESFT1GOSCT-ND	1.872	1	Cut Tape	0,500	0,309	0,195	0,130	0,130

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JRH Electronics

Datasheet5 SeitenVor 13 Jahren

IHS

Newark

Factory Futures

Master Electronics

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onsemiMBR120ESFT1G

onsemiNRVB120ESFT1G

Price @ 1000

$ 0.128

$ 3.466

Stock

7,637,230

203,845

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Forward Voltage

360 mV

Reverse Voltage (DC)

Forward Current

1 A

Max Reverse Leakage Current

10 µA

Reverse Recovery Time

Capacitance

Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80

Introduction Date2002-10-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MBR120ESFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon

IHS

ON SEMI MBR120ESFT1G, SMT SCHOTTKY DIODE, 20V 1A, 2-PIN SOD-123FL

RS (Formerly Allied Electronics)

20V 530mV@1A 1A SOD-123FL Schottky Diodes ROHS

EBEE

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL

Easev

20V 40A 10¦ÌA 1A SOD-123FL 2.7mm*1.65mm*950¦Ìm

UnikeyIC

Repetitive Peak Reverse Voltage:20V; Average Forward Current:1A; Diode Configuration:Single; Diode Case Style:SOD-123FL; No. of Pins:2Pins; Forward Voltage Max:530mV; Forward Surge Current:40A; Operating Temperature Max:150°C RoHS Compliant: Yes

Newark

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MBR120ESFT-1G
MBR120ESFT1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingTin

Number of Pins2

Number of Terminals2

Technical

Average Rectified Current1 A

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Forward Current1 A

Forward Voltage360 mV

Max Forward Surge Current (Ifsm)40 A

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1 A

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)20 V

Max Reverse Leakage Current10 µA

Max Reverse Voltage (DC)20 V

Max Surge Current40 A

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

Output Current1 A

PackagingTape and Reel

Peak Non-Repetitive Surge Current40 A

Peak Reverse Current10 µA

PolarityStandard

Reverse Standoff Voltage20 V

Reverse Voltage20 V

Schedule B8541100080

Voltage Rating (DC)20 V

Dimensions

Height980 µm

Length2.9 mm

Width1.8 mm