onsemi KST4401MTF
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | KST4401MTF | 429.629 | 11407 | |||||||||
| Rochester Electronics | KST4401MTF | 445.781 | 6h | |||||||||
| Farnell | KST4401MTF. | 0 | 1 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Component Stockers USA | KST4401MTF | 8.798 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-KST4401MTF | 2.000 | 1225 | 7h |
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Price @ 1000
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$ 0.036
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Stock
1,737,185
117,047,222
117,047,222
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
250 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
750 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
40
75
75
Power Dissipation
350 mW
225 mW
225 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KST4401MTF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TAPE REEL/NPN/40V/0.6A/100-360
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 20hFE; Tran
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height970 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen