onsemi KSP2907ABU
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-60 V
-60 V
-60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.6 V
-1.6 V
-1.6 V
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiKSB1116SYBU
Bulk Through Hole PNP KSB1116 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSP2907ABU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
1.6V@ 50mA,500mA PNP 625mW 5V 10nA 60V 60V 600mA TO-92-3 Through hole mounting 4.7mm*3.93mm*4.7mm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
60V 625mW 600mA 100@150mA10V 200MHz PNP 1.6V@500mA50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min50
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height4.58 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen