onsemi KSH44H11ITU
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Price @ 1000
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$ 0.371
Stock
121,266
265,289
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
onsemi2SC5706-P-E
Bulk Through Hole NPN ROHS3Compliant Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 2V 1muA ICBO 800mW 400MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSH44H11ITU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NPN 1.75 W 80 V 8 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1V@ 400mA,8A NPN 1.75W 5V 10μA 80V 8A TO-251 Through hole mounting 6.6mm*2.3mm*6.1mm
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current8 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height9.85 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen