onsemi KSH122TF
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.415
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Stock
476,511
4,146,004
4,146,004
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
-
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
2 V
2 V
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
1.75 W
20 W
20 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSH122TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
KSH Series NPN 1.75 W 100 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen