onsemi KSC2690AYSTU
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Stock
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438,287
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126-3
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
80 V
Max Collector Current
1.2 A
1.2 A
Transition Frequency
155 MHz
155 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
160
160
Power Dissipation
1.2 W
1.2 W
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC2690AYSTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 155 MHz, 20 W, 1.2 A, 160
Bipolar Transistors (BJT); KSC2690AYSTU; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 160 V; 1.2 A
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi NPNTransistor, TO-126encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current1.2 A, maximum collector-emission voltage160 V
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-225AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: 155MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 160hFE;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency155 MHz
Gain Bandwidth Product155 MHz
hFE Min160
Max Collector Current1.2 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency155 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen