onsemi KSC2073H2TU
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423,751
Authorized Distributors
3
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
150 V
150 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
25 W
25 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
onsemiKSC1507YTU
Tube Through Hole NPN KSC1507 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 10mA 10V 200muA 15W 80MHz
NXP SemiconductorsBUJ302AX,127
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC2073H2TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
50 mA, 120 V NPN Epitaxial Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
NPN Transistor 1.5A 25W 150V 150V 5V 10μA 50mA,500mA TO-220-3 TH 9.4mm H
Trans GP BJT NPN 150V 1.5A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage150 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)150 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen