onsemi ISL9R860S3ST

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80
Introduction Date2001-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Verwandte Teile

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB
Diodes Inc.SBR20A60CTB
Rectifier Diode Super Barrier Rectifier 60V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Diodes Inc.MBRB20200CT
Schottky Rectifier, 200 V, 10 A, Dual Common Cathode, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins, 890 mV
Diodes Inc.MBRB20100CT-13
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi ISL9R860S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB
Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
DIODE, ULTRAFAST, 8A, 600V; Diode Type:Stealth Diode; Voltage, Vrrm:600V; Current, If AV:8A; Voltage, Vf Max:2.4V; Termination Type:SMD; Case Style:TO-263AB; SVHC:Cobalt dichloride; Current, Ifs Max:100A; Forward Voltage:2V; Max Reverse RecoveryTime, trr:18ns; Current, Ifrm:16A; SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)
The ISL9R860S3ST is a STEALTH™ diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH™ family exhibits low reverse recovery current (IRR) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for use as a free wheeling or boost diode in power supplies and other power switching applications. The low IRR and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under which the diode may be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using the STEALTH™ diode with an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest power density design at lower cost.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • ISL9R860S3ST.