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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsIPS105N03LG
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N310AD3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Not available to order N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
70W 20V 32nC@ 10V 1individualNChannel 30V 10mΩ@ 10V 35A 1.8nF@ 15V TO-251 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rise Time34 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
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