Rochester Electronics IPS105N03LG
$ 0.183
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Rochester Electronics IPS105N03LG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET Logic Level 40 V, 10 A, 2.1 mΩ
Compliant Through Hole 6.22 mm 2.39 mm 6.73 mm 2.4 ns 14 ns No SVHC
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:38W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; Current Id Max:35A; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONIC
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ONSEMI (VIA ROCHESTER)
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- Triscend Corp
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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