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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
InfineonIRFZ48NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 14 Milliohms;ID 64A;TO-220AB;PD 130W;gFS 24S
InfineonIRFZ44VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 55A;TO-220AB;PD 115W;-55de
InfineonIRFZ46NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 53A;TO-220AB;PD 107W;-55de
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N306AD3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Not available to order N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
125W(Ta) 20V 3V@ 250µA 90nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 6mΩ@ 50A,10V 3.4nF@15V DPAK，TO-252-3 SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Datenblätter und Dokumente
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