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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-11
LTD Date2010-06-11
Verwandte Teile
InfineonIRF2903ZSTRLP
Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / HEXFET Power MOSFET
InfineonIPB80N03S4L02ATMA1
30V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N302AS3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
TO-263AB,SINGLE,NCH,30V,0.0023 OHM LOGIC LEVEL DENSE TRENCH
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:75A; Resistance, Rds On:0.0019ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; No. of Pins:2; Power, Pd:345W; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:3V; Voltage, Vgs th Min:1V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation345 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation345 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)30 V