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3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-12-11
LTD Date2010-06-11
Verwandte Teile
InfineonIRF2903ZSTRLP
Trans MOSFET N-CH Si 30V 260A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / HEXFET Power MOSFET
InfineonIPB80N03S4L02ATMA1
30V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N302AS3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
TO-263AB,SINGLE,NCH,30V,0.0023 OHM LOGIC LEVEL DENSE TRENCH
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipa
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation345 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation345 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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