onsemi IRLR210ATM
$ 0.617
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-10-20
LTD Date2008-04-20
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRLR210ATM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 2.7A Tc 2.7A 2.5W 6ns
2.5W(Ta),21W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 9nC@ 5V 1N 200V 1.5¦¸@ 1.35A,5V 240pF@25V DPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance240 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation21 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height2.517 mm
Datenblätter und Dokumente
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