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3-Monats-Trend: -38.01%
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0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQD4N25TM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD4N25TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
2.5W(Ta)，37W(Tc) 5V@ 250µA 5.6nC@ 10V 1individualNChannel 250V 1.75Ω@ 1.5A,10V 200pF@25V DPAK SMD mount
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -38.01%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance1.75 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.75 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time6.4 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Datenblätter und Dokumente
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