onsemi IRLR130ATM
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Obsolete
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3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Verwandte Teile
InfineonIRFR3910TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRFR3910TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRLR130ATM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta),46W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 24nC@ 5V 1N 100V 120m¦¸@ 6.5A,5V 755pF@25V DPAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance755 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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