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3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Verwandte Teile
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 / Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFW540ATM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 28A Tc 3.8W Ta 107W Tc 100V -55C~175C TJ
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:28A; On Resistance, Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current Rating28 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max52 mΩ
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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