onsemi HUFA76645S3ST
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB70N10S3L12ATMA1
100V, N-Ch, 11.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
onsemiHUF75545S3S
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
InfineonIRF3007STRLPBF
Infineon N-Channel MOSFET + Diode HEXFET, Vds=75V 62A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76645S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
310W(Tc) 3V@ 250µA 153nC@ 10V 1individualNChannel 100V 14mΩ@ 75A,10V 4.4pF@25V D2PAK SMD mount
75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time175 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time106 ns
Turn-Off Delay Time69 ns
Voltage Rating (DC)100 V
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