Infineon IRF3007STRLPBF
$ 1.041
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRF3007STRLPBF | 11.200 | 800 | |||||||||
| Rochester Electronics | IRF3007STRLPBF | 3.200 | 13h | |||||||||
| DigiKey | 448-IRF3007STRLPBFCT-ND | 3.084 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IRF3007STRLPBF | 0 | 800 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | IRF3007STRLPBF | 0 | 800 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +4.26%
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3007STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 75V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Drain to Source Resistance12.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.6 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation120 W
Rds On Max12.6 mΩ
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen