onsemi HUFA76639P3
$ 0.728
Obsolete
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3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRL2910PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.026Ohm;ID 55A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-16V
NXP SemiconductorsBUK7523-75A,127
Compliant Through Hole 41 ns 66 ns 23 mΩ TO-220AB Obsolete (Last Updated: 1 day ago) 2.385 nF
InfineonIRFB59N10DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 59A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-30V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76639P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
180W(Tc) 3V@ 250¦ÌA 86nC@ 10V 1N 100V 26m¦¸@ 51A,10V 2.4pF@25V TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFETs 50a, 100V, 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time151 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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