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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRL540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;TO-220AB;PD 140W;VGS +/-16V
InfineonIRF1310NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76633P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
39 A 100 V 0.037 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 100V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
145W(Tc) 3V@ 250µA 67nC@ 10V 1individualNChannel 100V 35mΩ@ 39A,10V 1.82pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 38a, 100V, 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Current Rating38 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance37 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation145 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation145 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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