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Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi HUF75637P3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRF540ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V
InfineonIRF1310NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF75637P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFETs 44a, 100V, 0.030 Ohm N-Ch MOSFET
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
PWR MOS ULTRAFET 100V/41A/0.030 OHM N-CH
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Current Rating44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation155 W
Rds On Max30 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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